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深入淺出ddr

2025年04月30日 15:56

DDR 即雙倍速率同步動態隨機存儲器（Double Data Rate SDRAM）。從最底層看，DDR 的單個存儲單元由用于存儲電荷的電容器和作為開關的晶體管組成，由于電容器會隨時間放電，信息最終會消失，所以需要定期“刷新”，這也是其“動態”特性的來源。存儲單元被排列成行和列的網格狀，存在 Bank、Rows 和 Columns 等架構。 DDR 內存不斷發展，經歷了從 DDR1 到 DDR5 等標準的換代升級。在不同代際的 DDR 中，如 DDR1、DDR2 和 DDR3，其外觀、針腳數量和排列、內存顆粒形狀、工作電壓、內存容量等方面均有區別。在 DDR 設計方面，硬件設計人員需小心處理以確保系統穩定性。IC 方案廠家通常要求 DDR 部分完全參考 demo 設計。從原理圖角度，若自行連線需仔細核對每個 pin。在 PCB 設計階段，即使照搬參考設計也有多處需注意，如預留屏蔽罩位置、鎖住 DDR 處過孔、保證各走線參考平面正確、遵循 PCB 疊層要求等。在 DDR 調試中，可能會遇到時鐘抖動、電源、EMI 和死機等問題。對于時鐘抖動問題，需關注電源 noise、DDR 走線包地和參考平面等；電源問題可能導致系統死機重啟；EMI 問題可通過加屏蔽罩、開展頻、處理結構問題等解決；死機問題排查需遵循由易到難原則，如排除電源問題、檢查軟件、確認疊層信息等。等待電視劇的同時，也可以閱讀本站的相關的精彩內容了！

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