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單光子探測(cè)器工作原理

2025年07月21日 10:44

單光子探測(cè)器的基本原理是利用工作在蓋革模式下的Si - 雪崩光電二極管或InGaAs/InP雪崩光電二極管(APD)進(jìn)行單光子探測(cè)。雪崩光電二極管將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，與PIN二極管結(jié)構(gòu)類似，包含兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)（P+和N+）和兩個(gè)輕摻雜區(qū)（I和P），其本征區(qū)的耗盡層寬度相較于PIN光電二極管更薄。另外，單光子探測(cè)技術(shù)利用新式光電效應(yīng)，可對(duì)入射的單個(gè)光子進(jìn)行計(jì)數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱目標(biāo)信號(hào)的探測(cè)。其中，單光子探測(cè)器的工作原理還涉及硅物質(zhì)中的電荷雪崩，這一過(guò)程相當(dāng)于信號(hào)的爆炸，不過(guò)需要控制這些看不見(jiàn)、摸不著的爆炸信號(hào)以及反向擊穿過(guò)程。看奧運(yùn)的同時(shí)，也可以來(lái)閱讀關(guān)于 《奧運(yùn)》 相關(guān)的精彩小說(shuō)！
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